武林旧事录三星宣布投产第九*V-NAND闪存

武林旧事录三星今天宣布正式开始量产第九*V-NAND闪存，首批开始量产的是容量为1Tb的TLC闪存，新一代闪存的量产会进一步增强三星在闪存市场的竞争力，巩固其领导地位。

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武林旧事录三星电子内存业务部闪存产品与技术负责人SungH..oiH..ur表示：“我们非常高兴推出业界首款第九*V-NAND产品，它将为未来应用带来显著飞跃。为了满足不断演进的NAND闪存解决方案需求，我们在下一代产品的单元架构和操作方案上进行了突破。通过最新的V-NAND，三星将持续引领高X能、高密度固态硬盘市场潮流，以满足即将到来的人工智能时代的需求。”

武林旧事录与上一代V-NAND相比，第九*V-NAND的单位面积存储密度提高了约50%，这得益于行业内最小的细胞尺寸和最薄的模具层。为了提升产品质量和可靠X，三星采用了新的创新技术，诸如避免单元干扰和延长单元寿命，同时取消备用通道孔则大幅减少了存储单元的平面面积。

武林旧事录此外，三星在新一代闪存上应用了通道孔刻蚀技术，该技术通过堆叠模具层来创建电子通路，并在双栈结构中实现行业最高单元层数的同时钻孔，从而最大化制造效率。随着单元层数增加，穿透更高层数单元的能力变得至关重要，这要求更为精密的刻蚀技术。

武林旧事录第九*V-NAND采用了新一代Toggle5.1闪存接口，让数据传速速度提升33%，高达3.2Gbps。新的接口可为最新的PCIe5.0SSD提供足够的X能带宽保障。与上一代产品相比，第九*V-NAND在低功耗设计方面也有改进，其功耗降低了10%，可使SSD变得更为节能。

武林旧事录三星已于本月启动1TbTLC第九*V-NAND的大规模生产，随后将于今年下半年推出QLC的型号。