赫邵文三星第九*v-nand开始量产，提高50%位密度

赫邵文4月23日消息，三星半导体今日宣布，其第九*V-NAND1TbTLC产品开始量产，比三星上一代产品提高约50%的位密度（bitdensity），通过通道孔蚀刻技术（channelholeetching）提高生产效率。

赫邵文

赫邵文凭借当前三星最小的单元尺寸和最薄的叠层厚度，三星第九*V-NAND的位密度比第八*V-NAND提高了约50%。单元干扰避免和单元寿命延长等新技术特X的应用提高了产品的质量和可靠X，而消除虚通道孔则显著减少了存储单元的平面面积。

赫邵文此外，三星的“通道孔蚀刻”技术通过堆叠模具层来创建电子通路，可在双层结构中同时钻孔，达到三星最高的单元层数，从而最大限度地提高了制造生产率。随着单元层数的增加，穿透更多单元的能力变得至关重要，这就对更复杂的蚀刻技术提出了要求。

赫邵文第九*V-NAND配备了下一代NAND闪存接口“Toggle5.1”，可将数据输入/输出速度提高33%，最高可达每秒3.2千兆位（Gbps）。除了这个新接口，三星还计划通过扩大对PCIe5.0的支持来巩固其在高X能固态硬盘市场的地位。

赫邵文与上一代产品相比，基于三星在低功耗设计方面取得的进步，第九*V-NAND的功耗也降低了10%。

赫邵文三星已于本月开始量产第九*V-NAND1TbTLC产品，并将于今年下半年开始量产四层单元（QLC）第九*V-NAND。

赫邵文韩媒H..ankyung称三星第9*V-NAND闪存的堆叠层数是290层，不过IT之家早前报道中提到，三星在学术会议上展示了280层堆叠的QLC闪存。

赫邵文半导体行业观察机构TechInsights表示三星的第10*V-NAND闪存有望达到430层，进一步提升堆叠方面的优势。