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野蛮天女台积电确定cowos工艺变体cowos-l

收集整理:九站网 更新时间:2022-05-20 15:19 文章来源:卓越科技

野蛮天女图源:AFP集微网消息,业内人士透露,台积电已确定其最新CoWoS工艺变体CoWoS-L是2.5D封装4倍全光罩尺寸的唯一解决方案,正与H.PC芯片客户合作,共

原标题:《台积电确定cowos工艺变体cowos-l》

野蛮天女

野蛮天女图源:AFP

野蛮天女集微网消息,业内人士透露,台积电已确定其最新CoWoS工艺变体CoWoS-L是2.5D封装4倍全光罩尺寸的唯一解决方案,正与H..PC芯片客户合作,共同应对基板端的挑战,预计将于2023-2024年开始商业生产。

野蛮天女据《电子时报》报道,CoWoS-L是台积电专门针对人工智能训练芯片设计的,据其介绍,该工艺结合了台积电CoWoS-S和信息技术的优点,通过中介层、用于芯片间互连的本地硅互连(LSI)芯片以及用于电源和信号传输的RDL层,提供了最灵活的集成。

野蛮天女消息人士称,台积电的CoWoS技术是专门为H..PC设备应用设计的2.5D晶圆级多芯片封装技术,已经投入生产近10年。凭借CoWoS,台积电已经从高X能计算处理器供应商,如AMD赢得了大量订单。

野蛮天女台积电传统的带硅中介层的CoWoS技术(CoWoS-S)已进入第五*。CoWoS-S的硅中介层可以达到2倍以上全光罩尺寸(1700mm2),将领先的SoC芯片与四个以上的H..BM2/H..BM2E堆栈集成在一起。

野蛮天女在台积电为第71届IEEE电子元器件和技术会议(ECTC)提交的一篇论文中,该公司介绍了采用一种新颖的双路光刻拼接方法的CoWoS-S5技术,3倍全光罩尺寸(2500mm2)使得硅中介层的可容纳1200mm2的多个逻辑芯片以及八个H..BM堆栈。除了硅中介层的尺寸增加外,还加入了新的功能,与之前的CoWoS-S组合相比,进一步增强了CoWoS-S5的电气和热X能。

野蛮天女台积电还提供CoWoS-R,即一种利用其InFO技术的CoWoS工艺变体,以利用RDL层实现芯片之间的互连,特别是在H..BM和SoC异构集成方面。RDL层由聚合物和微量铜组成,具有相对的机械柔X。

野蛮天女消息人士称,尽管最近大众市场消费电子设备的需求越来越不确定,但H..PC芯片的需求仍有希望。台积电增强型CoWoS-S封装以及-R和-L工艺变体将能够满足客户对其高X能计算产品的不同需求。2022年第一季度,H..PC芯片的订单超过智能手机,成为台积电最大的收入贡献者,将推动其今年纯*工收入增长。

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